CAN FD收發(fā)器芯片,LIN收發(fā)器芯片,固態(tài)繼電器,光耦固態(tài)繼電器,ME15N10,日本松木,P06,ME4435,ME9435,ME4953KAQY214S,KAQY214A,SIT1050T,SIT1040T,松木ME50P06-G"/> CAN FD收發(fā)器芯片,LIN收發(fā)器芯片,固態(tài)繼電器,光耦固態(tài)繼電器,ME15N10,ME50P06,ME4435,ME9435,ME4953KAQY214S,KAQY214A,SIT1050T,SIT1040T,SIT3490EESA"/>

深圳市泓京科技有限公司

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泓京科技代理多條產(chǎn)品線,應(yīng)用范圍:新能源,儲能,充電樁,工控板,儀器儀表,PD快充等

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                                                    公司介紹
    深圳市泓京科技有限公司,專業(yè)電子元器件代理商,產(chǎn)品范圍:碳化硅(Sic)MOSFET/二極管,MOSFET場效應(yīng),CAN/CAN-FD/LIN芯片,固態(tài)電容系列,固態(tài)光電繼電器。
   
    我們業(yè)務(wù)范圍:新能源汽車,光伏逆變,儲能產(chǎn)品,充電樁,工控板,儀器儀表,通信設(shè)備,醫(yī)療設(shè)備以及PD快充等等,我們多年來于原廠技術(shù)密切合作,可為客戶解決技術(shù)難題,提供有效的解決方案,包括產(chǎn)品前端設(shè)計選料減低客戶的生產(chǎn)成本!
產(chǎn)品展示
名稱
型號
封裝
參數(shù)
年份
庫存
操作
UPH1C152M1012
10*12
16V 1500UF
UPH1C331M0808
8*8
16V 330UF
UPH1C471M0812
8*12
16V 470UF
UPH1C471M1012
10*12
16V 470UF
UPH1C561M0812
8*12
16V 560UF
UPH1C821M0812
8*12
16V 820UF
UPL1C252M1021
10*21
16V 2500UF
UPL1C271M0608
6*8
16V  470UF
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The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology. This high density process is especially tailored ...
E4435/ME4435-G,P溝道30V (D-S) MOSFET一般說明ME4435是P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場,效應(yīng)晶體管采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別適用于最小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適用于低電壓應(yīng)用,如手機(jī)和筆記本電腦、計算機(jī)電源管理和其他電池供電電路,這些應(yīng)用需要在非常小的外形表面貼裝封裝中實現(xiàn)高側(cè)開關(guān)和低在線功率損耗。應(yīng)用● 筆記本電源管理● 便攜設(shè)備● ...
The ME85P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to ...
The ME20P06 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to mi...
ME50P06 / ME50P06-G,P溝道m(xù)os管 60V(D-S)MOSFETME50P06-G介紹:ME50P06是使用高單元密度DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)的P通道邏輯增強(qiáng)模式功率場效應(yīng)晶體管。 這種高密度工藝經(jīng)過特別設(shè)計,可最大程度地降低導(dǎo)通電阻。 這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用,例如蜂窩電話和筆記本計算機(jī)電源管理以及其他電池供電的電路,并且在非常小的外形表面安裝封裝中需要低的在線功率損耗...
型號:ME15N10-G類型:N溝道場效應(yīng)管耗散功率(PD):34.7 W漏極電流(ID):【管殼溫度(Tc)=25 ℃】14.7 A漏極和源極電壓(VDSS):100 V漏極和源極通態(tài)電阻(RDS(on)):0.1 Ω封裝:TO-252ME15N10一般說明ME15N10是采用高單元密度DMOS溝槽技術(shù)的N通道邏輯增強(qiáng)模式功率場效應(yīng)晶體管。 高密度工藝經(jīng)過特別設(shè)計,可最大程度地降低導(dǎo)通電阻...
ME50P06-GME15N10-GME50P06-GME20P06-GME85P03ME4435ME4953ME9435AME2323DME3587-GME2345A
今年年初,車用電子芯片龍頭恩智浦開出今年全球微控制器芯片調(diào)漲靠前槍,宣布將自靠前季開始調(diào)漲旗下多個產(chǎn)品線全線報價,...
拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出,相較目前主流的硅晶圓(Si),第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外,也分別具備耐...
8月20日,建滔子公司達(dá)信電路板(深圳)有限公司發(fā)布《告員工書》:受環(huán)保政策及深圳坪山區(qū)城市發(fā)展更新等因素影響,達(dá)...
在共享單車產(chǎn)業(yè)鼎盛時期,全國有超過70家品牌,隨著產(chǎn)業(yè)加速整合,60余家品牌相繼退市,形成以摩拜/哈羅/ofo為主...
根據(jù)《國務(wù)院關(guān)稅稅則委會員關(guān)于對原產(chǎn)于美國500億美元進(jìn)口商品加征關(guān)稅的公告》的前沿公告,將對美加征關(guān)稅商品清單二...
近日,長江存儲科技有限責(zé)任公司收到了1.86億元的退稅款。據(jù)悉長江存儲是我國三大存儲器晶圓廠之一,由紫光集團(tuán)聯(lián)合國...
近日在臺灣舉辦的“集成電路六十周年IC60特展”上,聯(lián)發(fā)科靠前次公開拿出了自己的5G測試用原型機(jī),搭載的是聯(lián)發(fā)科M...
商務(wù)部消息,8月30日,美國Autel Robotics公司依據(jù)《美國1930年關(guān)稅法》第337節(jié)規(guī)定向美國際貿(mào)易...
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